搞清楚其中的原理，说不定可以让单晶炉的解析源点要求有所下降……
于是，接下来的两个小时内，陈念把所有与晶体材料有关的知识全部都复习了一遍，知识点全部记牢，原理和应用方式也烂熟于心。
但当他打开系统去看单晶炉的解析需求时，却发现解析源点需求没有一点变化。
这又是怎么回事？
不应该啊。
陈念皱起眉头，疑惑地看着自己刚刚记下的笔记。
难道是信息密度不够？
但按照他之前的经验，如果是强相关的知识，对“降价”的加成还是挺大的，不应该一点反应都没有。
哪怕有0.001，也算是正常情况吧。
或者……是需要应用？
想到这里，陈念思索了片刻，重新拿起笔开始在纸上写字。
“单晶炉技术要点1：由于杂质可导致孪晶、嵌晶、孔洞、夹杂物、氢致缺陷、COP等缺陷，所以单晶炉内部清洁极为重要，需要保证主炉室、隔离阀、副炉室气密性，在目前技术条件下，可以选择用过氟橡胶进行真空密封……”
“单晶炉技术要点2：单晶生长过程中如果热场温度梯度过大，晶体中产生较大热应力，则会导致晶体内部发生位错缺陷，并使其增殖。为避免此类情况，单晶炉可以选用双筒法兰结构，通水冷却，并最好使用隔水条，保证冷却均匀……”
“单晶炉技术要点3：微缺陷发生的原因是……”
陈念一边思考一边写，这些信息可就不是系统解析来的了，而是他根据之前的学习，包括在制造新材料时掌握的经验一点点推出来的。
其中关于真空密封的部分属于老生常谈，但双筒法兰结构+隔水条冷却，则是他自己考虑后认为最合适的处理方式。
也就是说，这是他的原创设计。
但当然，这样的设计只是一个想法，或者说一个方向，远远达不到能画出结构图输出到应用阶段的要求。
陈念也不打算这么去做，因为复杂的数值推演、数值调整实在是太花时间了，还不如直接解析的费效比高。
省下来的时间用来学习和实验，带来的源点数量收益反而会更高。
就是不知道只做到这一步的话能不能降低一点源点需求……哪怕0.01点也好啊。
这么想着，陈念打开了系统界面，重新扫描单晶炉，先要看看最新的源点消耗。
而当那个数字呈
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