3纳米极紫外光？
检测光束设备给出的数据反馈让所有人大吃一惊，3纳米的极紫外光束，这岂不是说他们即将具备制造3纳米芯片的条件？
众所周知，在不考虑《多重曝光技术》的情况下，想要刻出几纳米级的芯片，就要先制造出多少纳米的紫外光光源。
193纳米的深紫外光还好说，大自然里面也能找得到，但13.5纳米及以下的极紫外光，那就必须由人为创造。
深紫外光和极紫外光，和分别对应了DUV光刻机和EUV光刻机，后者现在还处于禁止出口龙国的设备清单里面。
一旦这束光源被证实，确实是可以运用于光刻的极紫外光，那么整个芯片行业都将被颠覆。
“真是3纳米吗？”
夏扬神色激动，向前一步。
他大学虽然学的不是半导体，但这并不代表他不懂芯片制造。
想要光刻14纳米芯片，就要制造13.5纳米波长的极紫外光，这在各种半导体咨询媒体铺天盖地宣传下，早已经人尽皆知。
3纳米波长？
岂不是能刻3纳米芯片？
雷兵也忍不住上前一步，询问道：“这束光能用吗？如果能用是不是意味着我们能造3纳米芯片了？”
现在主流芯片是14纳米，无论是龙兴科技的SOC上帝芯片，还是苹果公司的A9s仿生芯片，亦或者说是髙通公司刚刚推出的骁龙821芯片，它们都是14纳米制程，根本够不着3纳米的边边。
要是真能造3纳米芯片，那可不是小小的科技震撼，而是向整个半导体芯片行业扔了个蘑菇弹，要颠覆整个行业的事情了。
“不能这样说。”
陈星从震撼中回过神，给雷兵与夏扬讲解道：“具备光源还不够，如果真要造3纳米芯片，我们还要经历芯片设计与研制光刻胶。”
在半导体领域，可不仅仅光刻机和紫外光有纳米等级，光刻胶同样有纳米等级区分。
像目前龙兴化工研制的1号光刻胶，它的曝光波长就在193纳米，最高支持7纳米芯片制造，这还是有多重曝光技术加持的情况下。
想要制造出3纳米芯片，3纳米极紫外光、3纳米芯片电路设计、3纳米曝光波长光刻胶缺一不可，这也是为什么，芯片纳米等级推进缓慢的原因。
每推进一步，都需要各行业跟进，一旦说光刻胶不行，那有极紫外光和电路设计图也没用。
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